Manwal ng May-ari ng Mga Bahagi ng INTELLIGENT MEMORY DRAM

Manwal ng May-ari ng Mga Bahagi ng INTELLIGENT MEMORY DRAM

IMAng mga produkto ay idinisenyo upang matugunan ang mga pinakamasakit na kinakailangan para sa mga pang-industriyang elektronikong aplikasyon, na gumagana sa halos anumang temperatura at bilis na maaari mong isipin. Nagbibigay kami ng natatanging alok ng mga bahagi ng DRAM na lumalampas sa mga pamantayan para sa pagiging maaasahan at kalidad ng komersyal.

Ipinakilala ng Intelligent Memory hindi lamang ang unang DDR3 DDP 8Gb memory IC na may solong chip select, kundi pati na rin ang ilang bihirang densidad, configuration, feature at uri ng package sa iba't ibang kategorya ng produkto ng DRAM.

Nagbibigay ng mga solusyon sa memorya para sa mga pang-industriya at naka-embed na application sa loob ng mahigit 30 taon
Mula sa karaniwan hanggang sa espesyal, legacy hanggang sa mainstream
Mahabang buhay ng produkto na may patuloy na suporta
In-house na mga disenyo ng produkto at mga kakayahan sa pagsubok
Nako-customize na mga configuration at produkto na mayaman sa tampok sa iba't ibang solusyon
ECC at irehistro ang tampok na pinaganang mga produkto
Maaasahang proseso ng pamamahala sa pagbabago ng produkto

DRAM PRODUCT FAMILY

LPDDR4(x)

Mababang Voltage Power Supply 1.8V, 1.1V
I/O sa 1.1V (LPDDR4) o 0.6V (LPDDR4x)
Mga density mula 4Gb hanggang 64Gb
Pinagsamang ECC error correction na may 4Gb at 8Gb
Mataas na bilis ng paglilipat ng data hanggang sa 4266Mbps, available sa Mga Komersyal at Pang-industriya na Grado
Mga tampok ng mobile para sa mas mababang kapangyarihan
Pag-calibrate ng ZQ

DDR4

Dobleng data rate clocking timing, 1.2V Power Supply
Sinusuportahan:
– Pagbabaligtad ng Data Bus (DBI)
– Sumulat ng Cycle Redundancy Check (CRC)
– Dynamic na ODT (On-Die Termination)
– Fine Granularity Refresh Mode
Mataas na bilis ng paglipat ng data hanggang sa 3200MHz
Available ang 4Gb at 8Gb

LPDDR3

Mababang Voltage Power Supply 1.8V (VDD1) at 1.22V (VDD2, VDDQ)
Available ang mga density ng 8Gb x32 (1 rank) at 16Gb x32 (2 rank)
Mataas na bilis ng paglipat ng data hanggang sa 1866Mbps na may Marka ng Komersyal
Programmable na lakas ng driver
Auto Temperature Compensated Self-Refresh
Deep power-down mode
JEDEC standard package 178-ball FBGA

DDR3

Dobleng data rate clocking timing, 1.35V o 1.5V Power Supply
Data masking bawat byte sa write commands
Programmable burst haba at CAS latency
Auto-refresh at self-refresh
Sinusuportahang OCD (Off-Chip Driver impedance)
Sinusuportahang ODT (On-Die Termination)
Mataas na bilis ng paglilipat ng data hanggang sa 1866Mbps, available sa Mga Komersyal at Pang-industriya na Grado
Available ang 1Gb, 2Gb, 4Gb, 8Gb at 16Gb
Isulat ang leveling
Ang pinagsamang pagwawasto ng error sa ECC ay magagamit para sa 1Gb

DDR2

Dobleng data rate clocking timing, 1.8V Power Supply
SSTL_18 na mga katugmang input
Programmable burst haba at CAS latency
Auto-refresh at self-refresh
Sinusuportahang OCD (Off-Chip Driver impedance)
Sinusuportahang ODT (On-Die Termination)
Mataas na bilis ng paglipat ng data hanggang sa 1066MHz
Available ang 512Mb, 1Gb at 2Gb
Ang pinagsamang pagwawasto ng error sa ECC ay magagamit para sa 1Gb

DDR

Dobleng data rate clocking timing, 2.5V Power Supply
SSTL_2 na mga katugmang input
Programmable burst haba at CAS latency
Auto-refresh at self-refresh
Mataas na bilis ng paglilipat ng data hanggang sa 400MHz, available sa Komersyal, Pang-industriya at Automotive na Grado
256Mb, 512Mb at 1Gb na may TSOP II at BGA packages
Ang pinagsamang pagwawasto ng error sa ECC ay magagamit para sa 1Gb

SDRAM

Full Synchronous DRAM, 3.3V Power Supply
Auto-refresh at self-refresh
Programmable burst haba:
– 1, 2, 4, 8 at buong pahina para sa sunud-sunod na uri
– 1, 2, 4, 8 para sa uri ng interleave
Mataas na bilis ng paglilipat ng data hanggang sa 200MHz, available sa Mga Marka ng Komersyal, Pang-industriya at Automotive
64Mb, 128Mb, 256Mb at 512Mb na may TSOP II at BGA packages
Available ang pinagsamang pagwawasto ng error sa ECC